ABB| 3BHL000390P0104 5SHX1960L0004 | MODULO IGCT

Descrizione del prodotto: 

La tecnologia IGCT applica due livelli di integrazione: monolitico su il wafer e l'ibrido per la periferia del GCT.
In molti casi, l'antiparallelo i diodi possono essere integrati monoliticamente. Questo elimina la pila di diodi e relativi collegamenti a corrente forte.
Un'integrazione di questo tipo diventa impraticabile solo alle correnti più elevate e il GCT e il diodo devono rimanere separati. Le sinergie della costruzione meccanica producono vantaggi in termini di dimensioni ridotte, maggiore stabilità e costi inferiori. Ogni segmento del wafer, di cui un'unità da 3 kA ne ha più di 2000, "sa" quando deve commutare ed esegue il comando corrispondente indipendentemente dagli altri. Poiché tutti i segmenti rispondono esattamente allo stesso modo, si ottiene un funzionamento in parallelo ottimale e la capacità di commutazione varia in proporzione all'area del wafer. È quindi relativamente semplice sviluppare una famiglia di dispositivi GCT opportunamente classificati.

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